a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究

本文简述了用α-SiC:H/α-Si:H复合膜钝化硅平面器件的钝化机理,并成功地应用于硅平面小功率晶体管的表面钝化,实验表明,钝化后的器件反向漏电流降低了2～3个数量级;小注入下的电流放大系数提高了3～4倍;室温—200℃的BT实验表明,未钝化的器件200℃时的电流放大系数比室温时增加了300％,而钝化后的器件只增加了75％。这些结果主要归因于钝化膜中原子态氢在到达SiO_2-Si界面处与界面处悬挂键结合,降低了界面态密度。     

离子束溅射非晶软磁薄膜

用离子束溅射方法制成了非晶态软磁薄膜,具有良好的软磁特征。本文研究了离子能量、氩气压强、沉积速率和入射角对磁膜性能的影响。     

用化学浸蚀形成光致发光多孔硅的研究

在ＨＦ－ＨＮＯ３水溶液中化学浸蚀单晶硅，得到了具有可见光致发光的多孔硅层（ＰＳＬ）。金相显微镜和扫描电镜（ＳＥＭ）观察表明，化学浸蚀后的表面呈绒面状，说明浸蚀具有各向异性。浸蚀过程中出现显色循环，当显色处于临界时间时，样品光致发光最强，与阳极氧化样品相比，化学浸蚀形成多孔硅的光致发光强度要弱近一个数量级，其峰值能量为１．９４－２．０４ｅＶ，半峰宽（ＦＷＨＭ）为０．３５－０．４１ｅＶ。还对比讨论了阳     

金属酞菁LB膜的制备及结构表征

研究了金属酞菁化合物四（２，４－二甲基苯氧基）酞菁铜和四（２，４－二甲基苯氧基）酞菁镍在汽－液界面上的成膜特性，制备了相应的Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）膜。利用紫外可见吸收及偏振紫外可见吸收谱，表征了ＬＢ膜中的酞菁分子主要以二聚体的形式相对于基片水平排列。以酞菁ＬＢ膜为取向层制成液晶盒，取向向列型液晶Ｅ＿７。通过偏光显微镜及锥光干涉系统，确定液晶分子在ＬＢ膜上的排列情况，并进行了电光测试，讨论了导致不同取向效果的机理。     

Bi_2DyFe_5O_（12－x）薄膜的磁性及MOSSBAUER研究

利用Ｘ－射线衍射，磁性测量及测量等手段研究了溅射态氧化物薄膜Ｂｉ＿２ＤｙＦｅ＿５Ｏ＿（１２－ｘ）的结构，磁性及晶化过程，得到了一些新的结果。     

磁性薄膜克尔回转角的测试方法研究

本文阐述了差动法测量克尔回转角的原理,给出了检测信号电压的计算公式,描述了具体测试装置,实验测定了Gd-Tb-Co膜、Gd-Co膜以及Tb-Fe-Co膜的极向克尔效应磁光回线和克尔回转角.文中对测试误差进行了讨论.     

用双入射角的反射型椭偏术自动测定单层膜厚度

本文提出了应用双入射角的反射型椭偏术,可克服椭偏仪一般只能测定膜层厚度小于1周期值的缺点。该技术已成功地应用于微机控制自动消光法椭偏仪上,能自动测定厚膜的膜厚和折射率。经大规模集成电路生产中使用,效果良好,且能提高测量精度和简化操作。     

碲镁磷对过共晶铝硅合金中硅相形貌的影响

本文通过在高纯过共晶Al-Si合金中调整Te、Mg、P加入量的试验,研究Te对含Mg的Al-Si合金铸态硅相形貌的影响。结果表明,Te、Mg、P中任何一种元素占优势时,都能以该元素为主影响合金的组织形态。     

Thermal conductivity of nanoscale thin nickel films

The inhomogeneous non-equilibrium molecular dynamics (NEMD) scheme is applied to model phonon heat conduction in thin nickel films. The electronic contribution to the thermal conductivity of the film is deduced from the electrical conductivity through the use of the Wiedemann-Franz law. At the average temperature of T=300 K, which is lower than the Debye temperature ΘD=450 K, the results show that in a film thickness range of about 1?11 nm, the calculated cross-plane thermal conductivity decreases almost linearly with the decreasing film thickness, exhibiting a remarkable reduction compared with the bulk value. The electrical and thermal conductivities are anisotropic in thin nickel films for the thickness under about 10 nm. The phonon mean free path is estimated and the size effect on the thermal conductivity is attributed to the reduction of the phonon mean free path according to the kinetic theory.